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该N沟道场效应管（MOSFET）具有35A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及7.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其参数组合适用于中等功率的开关应用场景，能够在保持较低导通损耗的同时，支持较高的电流负载。器件适合用于电源模块、电动工具控制电路及各类高效能电子系统中，为高密度电路设计提供可靠的开关性能与热稳定性。
