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该N沟道场效应管（MOSFET）具有500V的漏源击穿电压（VDSS）和5A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为1300毫欧。器件适用于中高电压开关场景，其电气参数使其能够在需要稳定耐压与适度电流承载能力的电路中可靠工作。由于具备标准N沟道结构，可广泛用于电源管理、负载开关及各类通用电子设备中的功率控制环节，兼顾效率与稳定性。
