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该N沟道MOSFET支持90A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻低至3.5毫欧，栅源驱动电压最高可达20V。其极低的RDS(ON)有效减少导通损耗，适用于高电流、高效率要求的电源管理、电机控制、电池充放电系统及各类紧凑型电子设备中，能够在高频开关条件下保持良好的热稳定性和电气性能。