-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），在典型工作条件下导通电阻（RDS(ON)）为5.7毫欧。其低导通电阻有助于降低功率损耗与温升，适用于高效率电源转换、电池管理系统及各类高电流开关电路。器件结构支持快速开关操作，在紧凑型电子设备中可有效提升能效与空间利用率。
