-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道MOSFET具备150A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至1.4毫欧，栅源电压额定值为20V。其极低的RDS(ON)显著减小导通损耗，适用于高效率、大电流的电源管理与功率转换场合，如服务器电源、电池管理系统及高性能计算设备中的负载开关。器件在高频工作条件下仍能保持良好的热稳定性和开关特性，有助于提升整体电路效率与可靠性。