-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道场效应管（MOSFET）具备90A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为3.5毫欧，栅源驱动电压（VGS）最高可达20V。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，适用于高效率电源转换、大电流开关电路及各类需要快速开关响应的电子系统。其高电流承载能力与低阻特性使其在紧凑型高密度设计中具有良好的热表现和电气性能。
