-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为5毫欧。其低导通电阻有助于显著降低导通状态下的功率损耗，提升系统效率并减少散热需求。适用于对电流密度和能效要求较高的中低压电源管理、电池供电设备及高频率开关电路等应用场景，能够在紧凑布局中维持稳定可靠的开关性能。
