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该N沟道场效应管（MOSFET）具备18A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为5毫欧，最大栅源电压（VGS）为20V。其低导通电阻有助于在高频率开关操作中降低功耗与温升，适用于对能效和热管理有较高要求的电源转换及负载开关场合。器件结构支持快速开关响应，适合集成于紧凑型、高效率的电子系统中。
