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该N沟道场效应管（MOSFET）具有15A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。器件在中等功率应用中表现出良好的导通特性和较低的功耗，适用于对体积和效率有一定要求的电源管理、负载开关及同步整流等电路场合。其参数组合兼顾性能与成本，适合多种通用电子系统中的开关与控制功能。
