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该N沟道场效应管（MOSFET）具备130A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为2.8毫欧。其极低的导通电阻有效降低了导通状态下的功率损耗，适用于高效率、大电流的电源转换、电池管理系统及电机驱动等应用场合。器件在高负载条件下仍能保持良好的热稳定性和电气性能，适合对能效与可靠性有较高要求的电子系统。
