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该N沟道MOSFET的连续漏极电流为18A，最大漏源电压为30V，导通电阻典型值为5毫欧，栅源电压额定值达20V。其低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统能效。器件适用于中等功率的电源管理、直流-直流转换器以及各类电子负载开关场合，在高频工作条件下仍能保持良好的热稳定性和开关性能。