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该N沟道场效应管（MOSFET）具备15A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7.5mΩ。低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。器件适用于中等功率的电源转换、负载开关及电机控制等场合，在高频开关操作中表现出良好的动态特性。其电气参数组合使其在空间受限且对热管理有一定要求的电子系统中具有实用价值。
