-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道MOSFET的额定漏极电流（ID）为15A，最大漏源电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。低导通电阻有助于在大电流工作条件下有效降低功率损耗和温升，提升系统效率。其电气特性适用于高频开关场景，常见于电源转换、负载开关、电池管理系统以及便携式电子设备中的功率控制电路，能够支持紧凑型设计与高能效运行。