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该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至5毫欧。其低导通电阻特性有效减小了在大电流工作时的功率损耗与发热，适用于对效率和热性能要求较高的电源开关、电池充放电控制及高密度功率转换等应用场合，在高频或持续高负载条件下仍能保持稳定的电气特性。
