-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道MOSFET具备80A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻典型值为5毫欧。低导通电阻有效降低导通损耗，有助于提升系统整体效率并减少散热需求。器件适用于高电流开关应用，如电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统等场景，在高频或大电流工作条件下仍能维持稳定可靠的性能表现。