-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道场效应管（MOSFET）具有35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至7.5毫欧。器件适用于对导通损耗和效率要求较高的功率开关场景，其低RDS(ON)有助于减少发热并提升系统整体能效。由于具备较高的电流承载能力和较低的导通压降，该MOSFET可有效支持多种中低压电源管理与负载控制应用。
