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该N沟道MOSFET具有35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至7.5毫欧。器件采用标准封装，适用于对导通损耗和效率要求较高的电源管理场景。其低RDS(ON)有助于减少发热，提升系统整体能效，适合用于各类中低电压开关电路，包括负载开关、同步整流及电池供电设备中的功率控制模块。
