-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为5毫欧。器件在高电流工作条件下表现出较低的导通损耗，有助于提升系统整体效率。适用于开关电源、电池供电设备、电机驱动及高密度功率转换等应用场合，能够在高频开关操作中保持良好的热稳定性和电气性能。
