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该N沟道场效应管（MOSFET）具备18A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为5毫欧，栅源驱动电压（VGS）额定值为20V。低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统效率。器件适用于中等功率的开关电源、负载开关及电池供电设备中的功率路径控制，其电气特性支持稳定可靠的高频开关操作。
