-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道MOSFET额定漏极电流（ID）为35A，漏源电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。器件在中等功率开关应用中具备良好的导通特性和较低的导通损耗，适用于电源管理、电池供电系统、DC-DC转换器及各类电子负载控制场合。其低RDS(ON)有助于提升能效并减少发热，配合标准逻辑电平驱动即可实现稳定工作，在注重空间与效率的电路设计中具有实用价值。