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该N沟道场效应管（MOSFET）具备18A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为5mΩ，并支持最高20V的栅源驱动电压（VGS）。低导通电阻有助于在高效率电源转换和负载开关等应用中显著降低导通损耗，同时良好的电压驱动兼容性使其易于与多种控制电路配合使用。适用于对体积、温升及能效有较高要求的便携式设备、计算平台及消费类电子产品中的功率管理模块。
