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该N沟道MOSFET具备15A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至7.5毫欧。其低RDS(ON)有助于显著降低导通损耗，在高效率电源转换或频繁开关的应用中表现优异。由于导通压降小，器件在工作时产生的热量较少，有利于简化热管理设计。适用于对体积、效率及温升敏感的电子系统，能够稳定支持中等功率水平下的持续运行。