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该N沟道MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为500V，连续漏极电流（ID）为5A，导通电阻（RDS(ON)）为1300毫欧。器件在栅极施加足够正向电压时导通，适用于中等功率的开关应用。典型使用场景包括电源适配器、LED驱动、小型电机控制及各类电子设备中的功率开关电路，能够满足对电压耐受与通态损耗的基本要求。