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该N沟道MOSFET具备500V的漏源电压（VDSS）、5A的连续漏极电流（ID）以及1300毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其结构支持在栅极施加适当正电压时导通，适用于需要中等电流和较高电压耐受能力的开关场合。典型用途包括开关电源、照明驱动、家用电器控制及各类直流-直流转换电路，在确保可靠运行的同时提供基本的功率管理功能。
