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该N沟道MOSFET具备500V的漏源击穿电压（VDSS）、5A的连续漏极电流（ID）以及1300毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其电气特性适用于需要较高电压耐受能力与中等电流处理能力的开关电路。在实际应用中，可用于电源适配器、LED驱动、家用电器控制板及各类电子系统中的功率开关或负载控制环节，能够在保证安全工作区的同时维持基本的导通效率。
