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该N沟道MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为500V，连续漏极电流（ID）为5A，导通电阻（RDS(ON)）为1300毫欧。器件适用于需要中等电流和较高电压耐受能力的电子电路，如开关电源、电源适配器及各类功率控制模块。其参数特性支持在高频开关操作中保持较低的导通损耗，同时兼顾电压安全裕度，适合对稳定性和效率有一定要求的通用电子设备应用场景。