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该N沟道场效应管（MOSFET）具备90A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为3.5毫欧，栅源驱动电压（VGS）额定值为20V。其极低的导通电阻有效降低导通损耗，在大电流工作条件下仍能保持良好的热性能。适用于高效率电源转换、电机控制、电池管理系统及各类需要高电流开关能力的电子设备中。
