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该N沟道MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为500V，连续漏极电流（ID）为5A，导通电阻（RDS(ON)）为1300毫欧。器件结构适用于中等功率的开关应用，在需要较高耐压和稳定导通性能的电路中表现可靠。典型应用场景包括电源转换、电机驱动、照明控制及各类电子设备中的功率开关功能，其参数组合兼顾了耐压能力与导通损耗之间的平衡。
