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该N沟道场效应管（MOSFET）具有35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。在中等电流应用场景下，其较低的导通电阻有助于减少功率损耗并提升能效。适用于开关电源、电池供电设备、电机控制及各类高频率功率转换电路。器件在典型工作条件下表现出良好的热稳定性和开关特性，适合对体积和效率有要求的紧凑型电子系统。
