-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道MOSFET具有45A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至6毫欧，栅源驱动电压最高可达20V。其低RDS(ON)有效降低导通损耗，在大电流工作状态下仍保持良好的热性能。器件适用于高效率电源转换、负载开关及同步整流等应用，凭借稳定的电气特性和快速开关响应，可在多种电子系统中实现可靠的功率控制。