-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道场效应管（MOSFET）额定漏极电流（ID）为5.8A，漏源击穿电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDS(ON)）为22毫欧。器件在中等电流条件下具备良好的导通特性，适用于对体积和效率有一定要求的电源转换、负载开关及便携式设备中的功率管理场景。其参数组合兼顾开关速度与导通损耗，在30V工作电压范围内可实现稳定可靠的性能表现。