-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道场效应管（MOSFET）具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为4.3毫欧，栅源电压（VGS）最高支持20V。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。适用于高电流开关电源、电池管理系统、电动工具驱动以及各类高效功率转换电路，在高频或大电流工作条件下仍能保持良好的热稳定性和可靠性。
