-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道场效应管（MOSFET）具备40A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为5毫欧。在中低压工作条件下，其低导通电阻有效降低导通损耗，提升能效表现。适用于对开关速度与热性能有较高要求的电源管理、直流-直流转换及负载开关等电路场合，能够支持稳定、高效的电力控制功能。
