-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至4.7mΩ，在栅源电压高达20V的条件下可稳定运行。其超低导通电阻有助于显著降低导通损耗，提升整体能效，适用于高效率电源模块、大电流开关电路以及对热性能和空间布局要求较高的电子系统。器件具备良好的开关特性，适合在高频操作环境中实现精确控制与高效能量转换。