-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为4.7毫欧，栅源驱动电压（VGS）最高可达20V。其大电流承载能力与低导通损耗特性，使其适用于高效率开关电源、电池供电设备、电机驱动及各类功率转换系统，在高负载或高频操作条件下仍能维持稳定性能。
