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该N沟道MOSFET的连续漏极电流为5.8A，最大漏源电压为30V，在典型工作条件下导通电阻低至22毫欧。器件具备较低的导通损耗和良好的开关特性，适用于对效率和热性能有要求的电源转换、电池管理及便携式电子设备中的功率控制功能。其参数组合使其在中等电流负载下能够稳定运行，并有助于简化散热设计。