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该N沟道MOSFET具备80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）典型值为4.7mΩ。其低导通电阻有助于降低导通损耗，提升功率转换效率，适用于对电流承载能力和热性能要求较高的场合。该器件可有效应用于开关电源、DC-DC转换模块以及高频率功率开关电路中，满足紧凑型电源设计对高效能与小体积的需求。
