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该N沟道场效应管（MOSFET）具备30V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压为12V时，导通电阻（RDS(ON)）为22毫欧，最大连续漏极电流（ID）达5.8A。其低导通电阻特性有助于有效降低导通状态下的功率损耗，适用于电源管理、负载开关、同步整流及各类对能效和热性能有较高要求的电子电路中。