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该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4.7毫欧，栅源驱动电压（VGS）最大可达20V。器件在高电流应用中表现出优异的导通性能和较低的功率损耗，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换、电机驱动及高频开关电路等场景。其低导通电阻有助于减小导通状态下的能量损耗，提升系统整体能效。
