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该N沟道场效应管（MOSFET）的漏源击穿电压（VDSS）为30V，最大连续漏极电流（ID）为5.8A，在栅源电压（VGS）为12V时，导通电阻（RDS(ON)）典型值为22毫欧。其低导通电阻有助于降低导通损耗，适用于对效率和热性能有要求的电源转换、负载开关及同步整流等电路应用。