-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道场效应管（MOSFET）具有45A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、6毫欧的导通电阻（RDS(ON)），以及最大20V的栅源驱动电压（VGS）。其低导通电阻有助于在高电流应用中减少功率损耗和发热，适用于开关电源、电池管理系统、电机驱动及各类高效能电子设备中的功率开关电路。器件在典型驱动条件下可实现稳定可靠的导通与关断性能。
