-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.5毫欧。其优异的导通特性可有效降低功率损耗，提升系统效率，适用于高电流、高频率的开关场景，如电源管理模块、电机驱动电路及各类高效能电子设备中的功率转换环节。器件在大电流工作条件下仍能保持良好的热稳定性和可靠性。
