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该肖特基二极管采用独立式结构,具有1A的额定正向电流(IF)和20V的最大反向电压(VR)。其正向压降(VF)为0.45V,有助于在导通状态下减少功耗;反向漏电流(IR)为1000μA。器件可承受高达9A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM),适用于电源整流、信号箝位、电池反接保护及高频开关电路等场景,适合对低损耗和快速响应有要求的应用。