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该N沟道MOSFET具有35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。器件在中等电流应用中表现出良好的导通特性和热稳定性，适用于对体积和效率有要求的电源管理场景。典型用途包括便携式电子设备的电源开关、多相供电系统中的负载切换，以及需要频繁启停或脉冲工作的电路结构，能够在保持较低功耗的同时实现可靠的开关性能。
