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该N沟道MOSFET的连续漏极电流为5.8A，最大漏源电压为30V，导通电阻为22毫欧。其参数组合适用于中等功率应用场景，在保证一定电流承载能力的同时，兼顾开关效率与功耗控制。器件适合用于电源管理模块、负载开关、便携设备供电系统以及对空间和热耗有约束的电子装置中，能够支持稳定可靠的开关操作。