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该N沟道场效应管（MOSFET）具备35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。较低的导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。器件在高频开关条件下仍能保持良好的动态性能，适用于电源转换、电池管理系统、电机控制以及各类高效率开关电路中，满足对紧凑布局和热性能要求较高的设计需求。
