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该N沟道MOSFET额定漏极电流为15A，最大漏源电压为30V，导通电阻为7.5毫欧。其低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统能效。器件适用于中等功率的电源转换、负载开关及电机控制等场合，在高频开关应用中表现出良好的动态特性与热稳定性，适合对体积和效率有要求的电子设备使用。