MS18_R1_00001_SMA_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: SMA
类别: 肖特基二极管
最小包装: 2000/圆盘
参数1: IF:1A
参数2: VR:80V
参数3: VF:0.85V
参数4: IR:200uA
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该肖特基二极管为独立式配置,具有1A的平均正向电流(IF)和80V的反向重复峰值电压(VR)。其正向压降(VF)典型值为0.85V,在导通状态下能有效降低功耗。反向漏电流(IR)在额定条件下为200μA,表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达30A的正向浪涌电流(IFSM),适用于对效率和瞬态响应有一定要求的电源整流、开关模式电源及高频电路等场景,具备快速恢复与低损耗的特点。

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