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该N沟道MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为30V，连续漏极电流（ID）达5.8A，导通电阻（RDS(ON)）为22毫欧。器件在中低压电路中表现出较低的导通损耗和良好的开关特性，适用于电源转换、电池管理、负载开关及便携式电子设备中的功率控制环节。其电气参数组合有助于提升整体能效并简化热管理设计。