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该N沟道MOSFET具备30V的漏源击穿电压（VDSS）和5.8A的连续漏极电流（ID），在标准驱动条件下导通电阻（RDS(ON)）为22毫欧。其电气特性适用于中等功率的开关应用场景，如便携式电子设备的电源管理、负载开关及同步整流等电路。较低的导通电阻有助于控制功耗与温升，同时支持较高的开关频率，适合对体积和效率有一定要求的电子系统。
